>>213127441
Man nehme einen Siliziumkristall. Silizium hat eine stöchiometrische Wertigkeit von 4, d.h. 4 Valenzelektronen (also Elektronen mit einer niedrigen Bindungsenergie). Diese Elektronen haben das Bestreben, sich paarweise zu binden und bilden so das Gitter. Die räumliche Anordnung entspricht dann einer 3D-Kachelung von Tetraedern, also gleichseitigen Pyramiden mit dreieckiger Grundfläche, an deren Ecken jeweils ein Silizumatom sitzt.
Man ersetzt einige der Atome im Kristallgitter durch 3- bzw. 5-wertige Atome, z.B. Gallium und Phosphor. Dadurch entsteht in der direkten Umgebung ein Mangel bzw. Überschuss an Elektronen, was eine örtliche elektrische Ladung und somit einen Potenzialunterschied im elektrischen Feld zur Folge hat.
Eine Diode besteht nun aus zwei Schichten, einer N-dotierten mit Elektronenüberschuss und einer P-dotierten mit Elektronenmangel. Beim Zusammenfügen der beiden Schichten migrieren im unmittelbaren Grenzbereich einige überschüssige Elektronen von der N- in die P-Schicht und gleichen den dortigen Mangel aus.
Legt man nun in Durchlassrichtung (von P nach N, also Anode zu Kathode) eine Spannung an, ändert man das elektrische Feld innerhalb der Diode. Dadurch werden die überschüssigen Elektronen der N-Schicht in Richtung der P-Schicht gezogen, die Sperrschicht zwischen den beiden wird schmaler. Ist die angelegte Spannung größer als die sog. Durchlassspannung (bei Si-Dioden ca. 0,6-0,7V), verschwindet die Sperrschicht vollständig und ein Strom kann fließen.
Wird die Spannung umgepolt, hat das den gegenteiligen Effekt: die Elektronen der N-Schicht werden von der Sperrschicht weggedrückt, diese wird noch positiver und ein Stromfluss wird unterbunden.

>>213067702
Guten Tag, Henschmann mein Name von der Firma Hensch & Binsch GmbH, wir würden Sie gerne zum nächstmöglichen Termin einstellen. Wären Sie mit einem monatlichen Nettogehalt von 4000€ einverstanden?
MfG

>>212767808
>hat Unrecht
>wird falsch bewiesen
>"Es juckt aber niemanden"
lel
Danke für den Lacher vorm Bett